武玫 | 副教授 | 硕士生导师
同质、异质外延氮化镓射频功率器件设计
宽禁带半导体热传输理论与调控技术
异质集成关键技术与产业化应用
1. 科研项目与产学研融合
主持国家自然科学基金青年项目、博士后特别资助（站中）项目、国家部委重点基金等国家级课题，聚焦宽禁带半导体前沿技术攻关。
产学研深度合作：与华为技术有限公司、中兴移动通讯等头部企业、中科院微电子所、中电科13、55所等科研机构联合开发，突破GaN射频功率器件热管理与异质集成关键技术瓶颈，实现技术转移与产业化应用，获得2023年华为“火花奖”（全球仅1%技术提案获此殊荣）。参与项目的学生顺利获得进入相关企业实习与工作的机会。
2. 学术影响力与创新成果
在IEEE EDL、IEEE TED、APL等国际顶级期刊发表论文50余篇，获授权国家发明专利20余项，核心技术覆盖器件设计、散热优化与异质集成等前沿领域。
国际前沿发声：多次在国际顶级会议上进行口头报告，其中以第一作者身份在微电子领域“奥林匹克”会议——IEDM 2022发表论文并做口头报告，展现中国青年学者的突破性成果。
3. 教学与人才培养
主讲《概率论与数理统计》、《学业指导》等课程，注重理论与实践相结合，培养博士、硕士生10余名。
指导学生多次参与科研竞赛，获得第七届中国研究生创“芯”大赛“全国决赛三等奖”等荣誉，育人成果显著。
鼓励学生积极参加国际高水平会议，指导学生在国际高水平会议 2022 ICNS上获得“Best student award”的荣誉。
技术落地：研发的GaN器件热管理方案成功应用于5G基站射频模块，助力企业产品能效提升，拖动国产半导体技术自主化进程。
学术服务：担任ACS Applied Electronic Materials、Microelectronics Reliability等国际期刊审稿人，积极参与学术生态建设。
2023年 华为技术有限公司“火花奖”
2023年 国防科学技术进步一等奖
2024年 陕西高校优秀青年人才支持计划
相关研究成果
[1] S. Li, M. Wu*, L. Yang, B. Yang, H. Sun, M. Zhang, B. Hou, H. Lu, X. Ma, and Y. Hao, “15.1 W/mm Power Density GaN-on-GaN HEMT with High-Gradient Stepped-C Doped Buffer,” IEEE Electron Device Lett., pp. 1–1, 2025, doi: 10.1109/LED.2024.3524540.
[2] S. Li, B. Meng, M. Wu*, H. Sun, B. Yang, L. Yang, X. Zou, M. Zhang, H. Lu, B. Hou, C. Yuan, X. Ma, and Y. Hao, “Enhancing thermal dissipation ability and electrical performance in GaN-on-GaN HEMTs through stepped-carbon buffer design,” Applied Physics Letters, vol. 125, no. 21, p. 104, Nov. 2024, doi: 10.1063/5.0243152.
[3] H. Sun, M. Wu*, P. Wang, C. Yuan, G. Ma, L. Yang, X. Ma, and Y. Hao, “Comparison of SiN x Dielectric Layer Grown by Plasma‐Enhanced Chemical Vapor Deposition, Low‐Pressure Chemical Vapor Deposition, and Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition in Diamond‐ and GaN‐Based Integrated Devices,” Physica Status Solidi (b), vol. 261, no. 11, p. 2400052, Nov. 2024, doi: 10.1002/pssb.202400052.
[4] S. Li, M. Wu*, L. Yang, B. Hou, M. Zhang, Q. Chang, X. Ma, and Y. Hao, “Enhanced Performance of GaN HEMTs in X‐band Applications Using Si x N/Si3 N4 Bilayer Passivation Technique,” Physica Status Solidi (a), vol. 221, no. 21, p. 2400047, Nov. 2024, doi: 10.1002/pssa.202400047.
[5] M. Wu, P. Wang, S. Li, K. Cheng, L. Yang, M. Zhang, B. Hou, X.-H. Ma, and Y. Hao, “Integration of polycrystalline diamond heat spreader with AlGaN/GaN HEMTs using a dry/wet combined etching process,” Diamond and Related Materials, vol. 132, p. 109676, Feb. 2023, doi: 10.1016/j.diamond.2023.109676.
[6] M. Wu, K. Cheng, L. Yang, B. Hou, X.-C. Zhang, P. Wang, M. Zhang, Q. Zhu, X.-F. Zheng, Y.-S. Hu, X.-H. Ma, and Y. Hao, “Structural and thermal analysis of polycrystalline diamond thin film grown on GaN-on-SiC with an interlayer of 20 nm PECVD-SiN,” Applied Physics Letters, vol. 120, no. 12, p. 121603, Mar. 2022, doi: 10.1063/5.0083841.
[7] M. Wu#, M. Zhang#, L. Yang, B. Hou, Q. Yu, S. Li, C. Shi, W. Zhao, H. Lu, W. Chen, Q. Zhu, X. Ma, and Y. Hao, “First Demonstration of State-of-the-art GaN HEMTs for Power and RF Applications on A Unified Platform with Free-standing GaN Substrate and Fe/C Co-doped Buffer,” in 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, Dec. 2022, p. 11.3.1-11.3.4. doi: 10.1109/IEDM45625.2022.10019550.
[8] Y. Ye#, M. Wu#, Y. Kong, R. Liu, L. Yang, X. Zheng, B. Jiao, X. Ma, W. Bao, and Y. Hao, “Active Thermal Management of GaN-on-SiC HEMT With Embedded Microfluidic Cooling,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 69, no. 10, pp. 5470–5475, Oct. 2022, doi: 10.1109/TED.2022.3195482.
[9] C. Yuan*, B. Meng, Y. Mao, M. Wu*, F. Jia, L. Yang, X. Ma, and Y. Hao, “Transducer-Less Thermoreflectance Technique for Measuring Thermal Properties of the Buried Buffer Layer and Interface in GaN-based HEMTs,” ACS Appl. Electron. Mater., vol. 4, no. 12, pp. 5984–5995, Dec. 2022, doi: 10.1021/acsaelm.2c01163.
期待具有微电子/集成电路/物理学/材料科学与工程等学习背景的同学能够加入我们，课题组聚焦第三代半导体技术，提供从器件模型到产业落地的完整舞台，致力于培养"设计-制造-应用"的全链条创新人才，期待与你在攻克'卡脖子'技术的道路上并肩作战！
西安电子科技大学 | 微电子学与固体电子学 | Doctoral Degree in Engineering | With Certificate of Graduation for Doctorate Study
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